模擬電子技術(shù)總結(jié)（四篇）

發(fā)布時(shí)間：2023-01-06 13:51:04 查看人數(shù)：38

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第1篇模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié) 第2篇模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié) 第3篇模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié) 第4篇模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié)-工作總結(jié)

模擬電子技術(shù)總結(jié)

【第1篇模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié)

模擬電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)心得匯總

模擬電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)心得體會(huì)

在做模擬電子技術(shù)的實(shí)驗(yàn)前,我以為不會(huì)難做,就像以前做物理實(shí)驗(yàn)一樣,做完實(shí)驗(yàn),然后兩下子就將實(shí)驗(yàn)報(bào)告做完.直到做完測試實(shí)驗(yàn)時(shí),我才知道其實(shí)并不容易做,但學(xué)到的知識(shí)與難度成正比,使我受益匪淺.

在做實(shí)驗(yàn)前,一定要將課本上的知識(shí)吃透,因?yàn)檫@是做實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ),否則,在老師講解時(shí)就會(huì)聽不懂,這將使你在做實(shí)驗(yàn)時(shí)的難度加大,浪費(fèi)做實(shí)驗(yàn)的寶貴時(shí)間.比如做應(yīng)變片的實(shí)驗(yàn),你要清楚各種電路接法,如果你不清楚,在做實(shí)驗(yàn)時(shí)才去摸索,這將使你極大地浪費(fèi)時(shí)間,使你事倍功半.做實(shí)驗(yàn)時(shí),一定要親力親為,務(wù)必要將每個(gè)步驟,每個(gè)細(xì)節(jié)弄清楚,弄明白,實(shí)驗(yàn)后,還要復(fù)習(xí),思考,這樣,你的印象才深刻,記得才牢固,否則,過后不久你就會(huì)忘得一干二凈,這還不如不做.做實(shí)驗(yàn)時(shí),老師還會(huì)根據(jù)自己的親身體會(huì),將一些課本上沒有的知識(shí)教給我們,拓寬我們的眼界,使我們認(rèn)識(shí)到這門課程在生活中的應(yīng)用是那么的廣泛.通過這學(xué)期實(shí)驗(yàn),使我學(xué)到了不少實(shí)用的知識(shí),更重要的是,做實(shí)驗(yàn)的過程,思考問題的方法,這與做其他的實(shí)驗(yàn)是通用的,真正使我們受益匪淺.

課程知識(shí)的實(shí)用性很強(qiáng)，因此實(shí)驗(yàn)就顯得非常重要，剛開始做實(shí)驗(yàn)的時(shí)候，由于自己的理論知識(shí)基礎(chǔ)不好，在實(shí)驗(yàn)過程遇到了許多的難題，也使我感到理論知識(shí)的重要性。但是我并沒有氣壘，在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)問題，自己看書，獨(dú)立思考，最終解決問題，從而也就加深我對(duì)課本理論知識(shí)的理解，達(dá)到了“雙贏”的效果。

實(shí)驗(yàn)中我學(xué)會(huì)了各種放大電路的性能的驗(yàn)證；用ewb仿真技術(shù)，來仿真一些實(shí)際的電學(xué)儀器，實(shí)驗(yàn)過程中培養(yǎng)了我在實(shí)踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力以及培養(yǎng)了良好的工程素質(zhì)和科學(xué)道德，酷貓寫作范文網(wǎng)例如團(tuán)隊(duì)精神、交流能力、獨(dú)立思考、測試前沿信息的捕獲能力等；提高了自己動(dòng)手能力，培養(yǎng)理論聯(lián)系實(shí)際的作風(fēng)，增強(qiáng)創(chuàng)新意識(shí)。

本學(xué)期實(shí)驗(yàn)一共做了多個(gè)放大實(shí)驗(yàn)，包括：晶體管共射極單管放大器，負(fù)反饋放大器，差動(dòng)放大電路，集成運(yùn)算放大器指標(biāo)的測試，集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)運(yùn)，otl功率放大器，通過這些實(shí)驗(yàn)，對(duì)各指標(biāo)的測試，我受益匪淺：它讓我深刻體會(huì)到實(shí)驗(yàn)前的理論知識(shí)準(zhǔn)備，也就是要事前了解將要做的實(shí)驗(yàn)的有關(guān)質(zhì)料，如：實(shí)驗(yàn)要求，實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，實(shí)驗(yàn)步驟，最重要的是要記錄什么數(shù)據(jù)和怎樣做數(shù)據(jù)處理，等等。雖然做實(shí)驗(yàn)時(shí)，指導(dǎo)老師會(huì)講解一下實(shí)驗(yàn)步驟和怎樣記錄數(shù)據(jù)，但是如果自己沒有一些基礎(chǔ)知識(shí)，那時(shí)是很難作得下去的，惟有胡亂按老師指使做，其實(shí)自己也不知道做什么。

在這次實(shí)驗(yàn)中，我學(xué)到很多東西，加強(qiáng)了我的動(dòng)手能力，并且培養(yǎng)了我的獨(dú)立思考能力。特別是在做實(shí)驗(yàn)報(bào)告時(shí)，因?yàn)樵谧鰯?shù)據(jù)處理時(shí)出現(xiàn)很多問題，如果不解決的話，將會(huì)很難的繼續(xù)下去。

還有動(dòng)手這次實(shí)驗(yàn)，使模擬電子技術(shù)這門課的一些理論知識(shí)與實(shí)踐相結(jié)合，更加深刻了我對(duì)模擬電子技術(shù)這門課的認(rèn)識(shí)，鞏固了我的理論知識(shí)。思想?yún)R報(bào)專題經(jīng)過這次的測試技術(shù)實(shí)驗(yàn),我個(gè)人得到了不少的收獲,一方

面加深了我對(duì)課本理論的認(rèn)識(shí),另一方面也提高了實(shí)驗(yàn)操作能力?，F(xiàn)在我總結(jié)了以下的體會(huì)和經(jīng)驗(yàn)。

這些的實(shí)驗(yàn)跟我們以前做的實(shí)驗(yàn)不同，因?yàn)槲矣X得這次我是真真正正的自己親自去完成。所以是我覺得這次實(shí)驗(yàn)最寶貴，最深刻的。就是實(shí)驗(yàn)的過程全是我們學(xué)生自己動(dòng)手來完成的，這樣，我們就必須要弄懂實(shí)驗(yàn)的原理。在這里我深深體會(huì)到哲學(xué)上理論對(duì)實(shí)踐的指導(dǎo)作用：弄懂實(shí)驗(yàn)原理，而且體會(huì)到了實(shí)驗(yàn)的操作能力是靠自己親自動(dòng)手，親自開動(dòng)腦筋，親自去請教別人才能得到提高的。

我們做實(shí)驗(yàn)絕對(duì)不能人云亦云，要有自己的看法，這樣我們就要有充分的準(zhǔn)備，若是做了也不知道是個(gè)什么實(shí)驗(yàn)，那么做了也是白做。實(shí)驗(yàn)總是與課本知識(shí)相關(guān)的，比如回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)，是利用頻率特性分析振動(dòng)的，就必須回顧課本的知識(shí)，知道實(shí)驗(yàn)時(shí)將要測量什么物理量，寫報(bào)告時(shí)怎么處理這些物理量。

在實(shí)驗(yàn)過程中，我們應(yīng)該盡量減少操作的盲目性提高實(shí)驗(yàn)效率的保證，有的人一開始就趕著做，結(jié)果卻越做越忙，主要就是這個(gè)原因。我也曾經(jīng)犯過這樣的錯(cuò)誤。我們做實(shí)驗(yàn)不要一成不變和墨守成規(guī)，應(yīng)該有改良創(chuàng)新的精神。實(shí)際上，在弄懂了實(shí)驗(yàn)原理的基礎(chǔ)上，我們的時(shí)間是充分的，做實(shí)驗(yàn)應(yīng)該是游刃有余的，如果說創(chuàng)新對(duì)于我們來說是件難事，那改良總是有可能的。

在實(shí)驗(yàn)的過程中我們要培養(yǎng)自己的獨(dú)立分析問題，和解決問題的能力。培養(yǎng)這種能力的前題是你對(duì)每次實(shí)驗(yàn)的態(tài)度。如果你在實(shí)驗(yàn)這方面很隨便，抱著等老師教你怎么做，拿同學(xué)的報(bào)告去抄，盡管你的

成績會(huì)很高，但對(duì)將來工作是不利的。比如在展現(xiàn)波形圖的時(shí)候，經(jīng)老師檢查，我們的波形不太合要求，我首先是改變各個(gè)參數(shù)，發(fā)現(xiàn)不行，再檢查電路是否正確，發(fā)現(xiàn)有所問題，然后不斷提高逼近，最后解決問題，興奮異常。在寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告，對(duì)于思考題，有很多不懂，于是去問老師，老師的啟發(fā)了我，其實(shí)答案早就擺在報(bào)告中的公式，電路圖中，自己要學(xué)會(huì)思考。

最后，通過這次的測試技術(shù)實(shí)驗(yàn)我不但對(duì)理論知識(shí)有了更加深的理解，對(duì)于實(shí)際的操作和也有了質(zhì)的飛躍。經(jīng)過這次的實(shí)驗(yàn)，我們整體對(duì)各個(gè)方面都得到了不少的提高，希望以后學(xué)校和系里能夠開設(shè)更多類似的實(shí)驗(yàn)，能夠讓我們得到更好的鍛煉。

模擬電子技術(shù)是一門理論性和實(shí)踐性都很強(qiáng)的專業(yè)基礎(chǔ)課，也是一門綜合性的技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)科，它需要數(shù)學(xué)、物理學(xué)、電子學(xué)、知識(shí)，同時(shí)還要掌握各種物理量的變換原理、各種指標(biāo)的測定，以及實(shí)驗(yàn)裝置的設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)分析等方面所涉及的基礎(chǔ)理論。許多測試?yán)碚摵头椒ㄖ挥型ㄟ^實(shí)際驗(yàn)證才能加深理解并真正掌握。實(shí)驗(yàn)就是使學(xué)生加深理解所學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)，掌握各類典型電路，實(shí)驗(yàn)器具的基本原理和適用范圍；具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理和誤差分析能力；范文top100得到基本實(shí)驗(yàn)技能的訓(xùn)練與分析能力的訓(xùn)練，使學(xué)生初步掌

握模擬電子技術(shù)的基本方法，對(duì)各門知識(shí)得到融會(huì)貫通的認(rèn)識(shí)和掌握，加深對(duì)理論知識(shí)的理解。

模擬電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)課是本門課程的重要環(huán)節(jié)，其目的是培養(yǎng)學(xué)生的分析和解決實(shí)際問題的能力，從而掌握模擬電子技術(shù)手段，為將來從事技術(shù)工作和科學(xué)研究奠定扎實(shí)的基礎(chǔ)。

通過本門課程實(shí)驗(yàn)，以下能力得到了較大的提高：

1、了解常用二極管和三極管的原理和應(yīng)用，以及連接電路的注意事項(xiàng)及各種測試不同指標(biāo)的方法。

2、培養(yǎng)具有綜合應(yīng)用相關(guān)知識(shí)來解決測試問題的基礎(chǔ)理論；

3、培養(yǎng)在實(shí)踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力；我們必須堅(jiān)持理論聯(lián)系實(shí)際的思想，以實(shí)踐證實(shí)理論，從實(shí)踐中加深對(duì)理論知識(shí)的理解和掌握。實(shí)驗(yàn)是我們快速認(rèn)識(shí)和掌握理論知識(shí)的一條重要途徑。

我們認(rèn)為，在這學(xué)期的實(shí)驗(yàn)中，在收獲知識(shí)的同時(shí)，還收獲了閱歷，收獲了成熟，在此過程中，我們通過查找大量資料，請教老師，以及不懈的努力，不僅培養(yǎng)了獨(dú)立思考、動(dòng)手操作的能力，在各種其它能力上也都有了提高。更重要的是，在實(shí)驗(yàn)課上，我們學(xué)會(huì)了很多學(xué)習(xí)的方法。而這是日后最實(shí)用的，真的是受益匪淺。要面對(duì)社會(huì)的挑戰(zhàn)，只有不斷的學(xué)習(xí)、實(shí)踐，再學(xué)習(xí)、再實(shí)踐。

這是本學(xué)期我們otl功率放大器是最后一次實(shí)驗(yàn)，而且是設(shè)計(jì)放大電路的典型實(shí)驗(yàn),范文寫作通過本實(shí)驗(yàn)，使得我在理論學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)上，加深了對(duì)放大電路的理解，熟悉了應(yīng)用放大電路實(shí)現(xiàn)放大的目的，掌握了模擬電子技術(shù)的核心主題。我不止一次地感受到了模擬電子技術(shù)與數(shù)學(xué)知識(shí)的緊密聯(lián)系以及強(qiáng)烈的趣味性。

臨近期末，非常感謝宮老師在本學(xué)期給予我們的細(xì)致生動(dòng)的“模

【第2篇模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)總結(jié)

第一章晶體二極管及應(yīng)用電路

一、半導(dǎo)體知識(shí)

1．本征半導(dǎo)體

·單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有4價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅（si）和鍺（ge）（圖1-2）。前者是制造半導(dǎo)體ic的材料（三五價(jià)化合物__化鎵gaas是微波毫米波半導(dǎo)體器件和ic的重要材料）。

·純凈（純度>;7n）且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在一定的溫度下，本征半導(dǎo)體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)（又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生）（圖1-3）。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子——自由電子和空穴對(duì)。溫度越高，本征激發(fā)越強(qiáng)。

·空穴是半導(dǎo)體中的一種等效?q載流子?？昭▽?dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位，使局部顯示?q電荷的空位宏觀定向運(yùn)動(dòng)（圖1-4）。

·在一定的溫度下，自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇，使一對(duì)自由電子和空穴消失的現(xiàn)象稱為載流子復(fù)合。復(fù)合是產(chǎn)生的相反過程，當(dāng)產(chǎn)生等于復(fù)合時(shí)，稱載流子處于平衡狀態(tài)。

2．雜質(zhì)半導(dǎo)體

·在本征硅（或鍺）中滲入微量5價(jià)（或3價(jià)）元素后形成n型（或p型）雜質(zhì)半導(dǎo)體（n型：圖1-5，p型：圖1-6）。

·在很低的溫度下，n型（p型）半導(dǎo)體中的雜質(zhì)會(huì)全部電離，產(chǎn)生自由電子和雜質(zhì)正離子對(duì)（空穴和雜質(zhì)負(fù)離子對(duì)）。

·由于雜質(zhì)電離，使n型半導(dǎo)體中的多子是自由電子，少子是空穴，而p型半導(dǎo)體中的多子是空穴，少子是自由電子。

·在常溫下，多子>;>;少子（圖1-7）。多子濃度幾乎等于雜質(zhì)濃度，與溫度無關(guān)；兩少子濃度是溫度的敏感函數(shù)。

·在相同摻雜和常溫下，si的少子濃度遠(yuǎn)小于ge的少子濃度。

3．半導(dǎo)體中的兩種電流

在半導(dǎo)體中存在因電場作用產(chǎn)生的載流子漂移電流（這與金屬導(dǎo)電一致）；還存在因載流子濃度差而產(chǎn)生的擴(kuò)散電流。

4．pn結(jié)

·在具有完整晶格的p型和n型材料的物理界面附近，會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層——pn結(jié)（圖1-8）?！n結(jié)是非中性區(qū)（稱空間電荷區(qū)），存在由n區(qū)指向p區(qū)的內(nèi)建電場和內(nèi)建電壓；pn結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)（稱耗盡層）；pn結(jié)內(nèi)的電場是阻止結(jié)外兩區(qū)的

多子越結(jié)擴(kuò)散的（稱勢壘層或阻擋層）。

·正偏pn結(jié)（p區(qū)外接高于n區(qū)的電壓）有隨正偏電壓指數(shù)增大的電流；反偏pn結(jié)（p區(qū)外接低于n區(qū)的電壓），在使pn結(jié)擊穿前，只有其值很小的反向飽和電流is。即pn結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?dǎo)通，反偏截止）。

v/v

?1)，其中，在t=300k時(shí)，熱電壓vt?26mv?！n結(jié)的伏安方程為：i?is(e

·非對(duì)稱pn結(jié)有pn結(jié)（p區(qū)高摻雜）和pn結(jié)（n區(qū)高摻雜），pn結(jié)主要向低范文寫作

摻雜區(qū)域延伸（圖1-9）。

二、二極管知識(shí)

·普通二極管內(nèi)芯片就是一個(gè)pn結(jié)，p區(qū)引出正電極，n區(qū)引出負(fù)電極（圖1-13）。·在低頻運(yùn)用時(shí)，二極的具有單向?qū)щ娞匦?，正偏時(shí)導(dǎo)通，si管和ge管導(dǎo)通電壓典型值分別是0.7v和0.3v；反偏時(shí)截止，但ge管的反向飽和電流比si管大得多（圖1-15）。

·低頻運(yùn)用時(shí)，二極管是一個(gè)非線性電阻，其交流電阻不等于其直流電阻。

?di?rdd?

?dvd?

q 二極管交流電阻rd定義：

·穩(wěn)壓管電路設(shè)計(jì)時(shí)，要正確選取限流電阻，使穩(wěn)壓管在一定的負(fù)載條件下正常工作。

二極管交流電阻rd估算：rd?vtid

·二極管的低頻小信號(hào)模型就是交流電阻rd，它反映了在工作點(diǎn)q處，二極管的微變電流與微變電壓之間的關(guān)系。

·二極管的低頻大信號(hào)模型是一種開關(guān)模型，有理想開關(guān)、恒壓源模型和折線模型三種近似（圖1-20）。

三、二極管應(yīng)用

1．單向?qū)щ娞匦詰?yīng)用

·整流器：半波整流（圖1-28），全波整流（圖p1-8a），橋式整流（圖p1-8b） ·限幅器：頂部限幅，底部限幅，雙向限幅（圖p1-9）

·鉗位電路_

思想?yún)R報(bào)專題·通信電路中的應(yīng)用_：檢波器、混頻器等 2．正向?qū)ㄌ匦约皯?yīng)用

二極管正向充分導(dǎo)通時(shí)只有很小的交流電阻，近似于一個(gè)0.7v（si管）或0.3v（ge管）的恒壓源。

3．反向擊穿及應(yīng)用

·二極管反偏電壓增大到一定值時(shí)，反向電流突然增大的現(xiàn)象即反向擊穿。

·反向擊穿的原因有價(jià)電子被碰撞電離而發(fā)生的“雪崩擊穿”和價(jià)電子被場效激發(fā)而發(fā)生的“齊納擊穿”。

·反向擊穿電壓十分穩(wěn)定，可以用來作穩(wěn)壓管（圖1-33）。

4．高頻時(shí)的電容效應(yīng)及應(yīng)用

·高頻工作時(shí)，二極管失去單向?qū)щ娞匦?，其原因是管?nèi)的pn結(jié)存在電容效應(yīng)（結(jié)電容）。

·結(jié)電容分為pn結(jié)內(nèi)的勢壘電容ct與pn結(jié)兩側(cè)形成的擴(kuò)散電容cd。·ct隨偏壓的增大而增大，cd與正偏電流近似成正比。

·反偏二極管在高頻條件下，其等效電路主要是一個(gè)勢壘電容ct。利用這一特性的二極管稱為變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管在通信電路中有較多的應(yīng)用。

第二章雙極型晶體三極管（bjt）

一、bjt原理

·雙極型晶體管（bjt）分為npn管和pnp管兩類（圖2-1，范文top100圖2-2）。

·當(dāng)bjt發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，稱為放大偏置。在放大偏置時(shí)，npn管滿足

vc?vb?vc

；pnp管滿足vc?vb?ve。

ie?iese·放大偏置時(shí)，作為pn結(jié)的發(fā)射結(jié)的va關(guān)系是：

/vt

ie?iese（npn），

bet

（pnp）。

·在bjt為放大偏置的外部條件和基區(qū)很薄、發(fā)射區(qū)較基區(qū)高摻雜的內(nèi)部條件下，發(fā)射極電流ie將幾乎轉(zhuǎn)化為集電流ic，而基極電流較小。

icnie

·在放大偏置時(shí)，定義了

（icn是由ie轉(zhuǎn)化而來的ic分量）極之后，可以導(dǎo)

出兩個(gè)關(guān)于電極電流的關(guān)系方程：ic?ie?icbo

icib?(1)icboib?iceo

其中

1?，iceo是集電結(jié)反向飽和電流，iceo?(1)icbo是穿透電流。

·放大偏置時(shí)，在一定電流范圍內(nèi)，ie、ic、ib基本是線性關(guān)系，而vbe對(duì)三個(gè)電流都是指數(shù)非線性關(guān)系。

·放大偏置時(shí)：三電極電流主要受控于vbe，而反偏vcb通過基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，對(duì)電流有較小的影響。影響的規(guī)律是；集電極反偏增大時(shí)，ic，ie增大而ib減小?！ぐl(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反偏時(shí)bjt為截止?fàn)顟B(tài)，發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都正偏時(shí)，bjt為飽和狀態(tài)。

二、bjt靜態(tài)伏安特性曲線

·三端電子器件的伏安特性曲線一般是畫出器件在某一種雙口組態(tài)時(shí)輸入口和輸出口的伏安特性曲線族。bjt常用ce伏安特性曲線酷貓寫作范文網(wǎng)，其畫法是：

輸入特性曲線：輸出特性曲線：

ib?f(vbe)vib?f(vce)

ce常數(shù)

（圖2-13）

ib常數(shù)

（圖2-14）

·輸入特性曲線一般只畫放大區(qū)，典型形狀與二極管正向伏安特性相似?！ぽ敵鎏匦郧€族把伏安平面分為4個(gè)區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)）放大區(qū)近似的等間隔平行線，反映?近似為常數(shù)，放大區(qū)曲線向上傾是基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)所致。

·當(dāng)溫度增加時(shí)，會(huì)導(dǎo)致?增加，icbo增加和輸入特性曲線左移。

三、bjt主要參數(shù)

lim

?ic?ie

·電流放大系數(shù)：直流?，直流；交流滿足

lim

?ic?ib

和

，?、?也

·極間反向電流：集電結(jié)反向飽和和電流icbo；穿透電流iceo

·極限參數(shù)：集電極最大允許功耗pcm；基極開路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓bvceo；集電極最大允許電流icm

·特征頻率ft

bjt小信號(hào)工作，當(dāng)頻率增大時(shí)使信號(hào)電流ic與ib不同相，也不成比例。若用相量

表示為ic，ib，則icib稱為高頻?。ft是當(dāng)高頻?的模等于1時(shí)的頻率。

四、bjt小信號(hào)模型

·無論是共射組態(tài)或共基組態(tài)，其放大電壓信號(hào)的物理過程都是輸入信號(hào)使正偏發(fā)射結(jié)電壓變化，經(jīng)放大偏置bjt內(nèi)部的vbe的正向控制過程產(chǎn)生集電極電流的相應(yīng)變化（ic出現(xiàn)信號(hào)電流ic），ic在集電極電阻上的交流電壓就是放大的電壓信號(hào)。

·當(dāng)發(fā)射結(jié)上交流電壓|vbe|?5mv時(shí)，bjt的電壓放大才是工程意義上的線性放大?！jt混合?小信號(hào)模型是在共射組態(tài)下推導(dǎo)出的一種物理模型（圖2-28），模型中有七個(gè)參數(shù)：

基本參數(shù)：基區(qū)體電阻rbb?，由廠家提供、高頻管的rbb?比低頻管小

rb?e?(1)

vtie

?(1)re

基區(qū)復(fù)合電阻rb?e：估算式：，re——發(fā)射結(jié)交流電阻

跨導(dǎo)gm：估算gm?ic/vt?38.5ic（ms），?rb?e,gm關(guān)系:rb?egm?基調(diào)效應(yīng)參數(shù) rce：估算rce?va/ic，va——厄利電壓

rb?c：估算rb?crce

300k

1gm

?re

以上參數(shù)滿足：

rb?crcerb?e

高頻參數(shù)：集電結(jié)電容 cb?c：由廠家給出；

cb?e?

gm2?ft

?cb?c

發(fā)射結(jié)電容cb?e：估算

·最常用的bjt模型是低頻簡化模型

（1）電壓控制電流源（ic?gmvb?e）模型（圖2-23）

（2）電流控制電流源（icib）模型（圖2-24，常用），其中rbe?rbbrb?e

【第3篇模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅si、鍺ge)。 2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4. 兩種載流子 ----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

_p型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴，少子是電子)。

_n型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子，少子是空穴)。

6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

_載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。_體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 7. pn結(jié)

_ pn結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。

_ pn結(jié)的導(dǎo)通電壓---硅材料約為0.6~0.8v，鍺材料約為0.2~0.3v。 8. pn結(jié)的伏安特性

二. 半導(dǎo)體二極管

_單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?_二極管伏安特性----同pn結(jié)。

_正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7v，鍺管0.2~0.3v。 _死區(qū)電壓------硅管0.5v，鍺管0.1v。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若 v陽 >;v陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 v陽

該式與伏安特性曲線

的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)q。

2) 等效電路法

直流等效電路法

_總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 v陽 >;v陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 v陽

微變等效電路法

三. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

_穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在pn結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

三極管及其基本放大電路

一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為npn和pnp兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低;發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二. 三極管的工作原理 1. 三極管的三種基本組態(tài)

2. 三極管內(nèi)各極電流的分配

_ 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3. 共射電路的特性曲線

_輸入特性曲線---同二極管。

_ 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用uces表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。飽和區(qū)---發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏。 4. 溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高icbo、 iceo 、 ic以及β均增加。三. 低頻小信號(hào)等效模型(簡化) rbe---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，

β---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示;

四. 基本放大電路組成及其原則

1. vt、 vcc、 rb、 rc 、c1、c2的作用。 2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五. 放大電路的圖解分析法 1. 直流通路與靜態(tài)分析

_概念---直流電流通的回路。 _畫法---電容視為開路。 _作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

_直流負(fù)載線---由vcc=icrc+uce 確定的直線。

_電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1)改變r(jià)b ：q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2)改變r(jià)c ：q點(diǎn)在ibq所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。 3)改變vcc：直流負(fù)載線平移，q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析

_概念---交流電流流通的回路

_畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 _作用---分析信號(hào)被放大的過程。

_交流負(fù)載線--- 連接q點(diǎn)和v cc點(diǎn) v cc= uceq+icqr l的直線。

3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

(1)截止失真

_產(chǎn)生原因---q點(diǎn)設(shè)置過低

_失真現(xiàn)象---npn管削頂，pnp管削底。 _消除方法---減小rb，提高q。 (2) 飽和失真

_產(chǎn)生原因---q點(diǎn)設(shè)置過高

_失真現(xiàn)象---npn管削底，pnp管削頂。 _消除方法---增大rb、減小rc、增大vcc 。

4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍

(1) uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 (2)范圍

_當(dāng)(uceq-uces)>;(vcc’ - uceq )時(shí)，受截止失真限制，uopp=2uoma_=2icqrl’。

_當(dāng)(uceq-uces)<(vcc’ - uceq )時(shí)，受飽和失真限制，uopp=2uoma_=2 (uceq-uces)。

_當(dāng)(uceq-uces)=(vcc’ - uceq )，放大器將有最大的不失真輸出電壓。六. 放大電路的等效電路法 1. 靜態(tài)分析

(1)靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

(2)q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足rb>;βrc 。 2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析

_ 放大倍數(shù)

_ 輸入電阻

_ 輸出電阻

集成運(yùn)放：將管線結(jié)合在一起制成的具有處理模擬信號(hào)的電路稱為運(yùn)算放大電路。

集成運(yùn)算放大電路中的`元器件的參數(shù)具有良好的一致性。二：集成運(yùn)算

放大電路的組成：

1. 輸入級(jí)(差模信號(hào)，up-un),抑制溫漂。

2. 中間級(jí)(復(fù)合管放大電路)。

3. 輸出級(jí)(互補(bǔ)輸出電路)。

4. 偏置電路(電流源電路為其提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn))。三：抑制溫漂(零點(diǎn)漂移)的辦法：

1. 直流負(fù)反饋

2. 溫度補(bǔ)償(利用熱敏元件來抵消管子的變化)

3. 構(gòu)成差分放大電路

四：失真：

1. 線性失真(我們所要的,構(gòu)成電路的放大)

2. 非線性失真：a:飽和失真b：截止失真。

3. 交越失真。(直接耦合互補(bǔ)輸出級(jí))。

五：多級(jí)放大電路的耦合方式:

1. 直接耦合：低頻特性好，便與集成化;存在溫漂問題。

2. 阻容耦合：便于計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)，低頻特性差。

3. 變壓器耦合：低頻特性差，實(shí)現(xiàn)阻抗變換;常用于調(diào)諧放大電路，

功率放大電路。

4. 光電耦合：

六：3種最基本的單級(jí)放大電路。

1. 共發(fā)射極電路具有集電極電阻rc將三極管集電極電流的變化轉(zhuǎn)化成集電極電壓的變化。

2. 共集電極單級(jí)放大器無集電極負(fù)載電阻，輸出信號(hào)取自發(fā)射級(jí)(發(fā)射級(jí)電壓跟隨器)。原因：三級(jí)管進(jìn)入放大工作狀態(tài)后，基極與發(fā)射級(jí)之間的pn結(jié)已處于導(dǎo)通狀態(tài)，這一pn結(jié)導(dǎo)通后壓降大小基本不變，硅管0.7v。

3. 共基極放大器。

七：正弦波振蕩電路的組成：

1. 放大電路

2. 選頻網(wǎng)絡(luò)

3. 正反饋網(wǎng)絡(luò)

4. 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)。

八：負(fù)反饋對(duì)放大電路特性的影響：

1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)

2. 改變輸入輸出電阻：

串聯(lián)負(fù)反饋增大輸入電阻

并聯(lián)負(fù)反饋減小輸入電阻

電壓負(fù)反饋減小輸出電阻

電流負(fù)反饋增大輸出電阻

九：引入負(fù)反饋的原則：

1. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)引入直流負(fù)反饋，為了改善電路的動(dòng)態(tài)性能則應(yīng)引入交流負(fù)反饋。

2. 為了穩(wěn)定輸出電壓(即減小輸出電阻，增強(qiáng)帶負(fù)載能力)，應(yīng)引入電壓負(fù)反饋

3. 為了穩(wěn)定輸出電流(即增大輸出電阻)應(yīng)引入電流負(fù)反饋

4. 為了提高輸出電阻(即減小放大電路下信號(hào)源所取的電流)應(yīng)引入串聯(lián)負(fù)反饋

5. 為了減小輸入電阻應(yīng)引入并聯(lián)負(fù)反饋

十：交流負(fù)反饋的四種組態(tài)：

1. 電壓串聯(lián)

2. 電流串聯(lián)

3. 電壓并聯(lián)

4. 電流并聯(lián)

十一：負(fù)反饋的四大好處：

1. 穩(wěn)定放大倍數(shù)

2. 改變電路的輸入輸出電阻

3. 展寬頻帶

4. 減小非線性失真

【第4篇模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié)-工作總結(jié)

模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié)-工作總結(jié)

在做模擬電子技術(shù)的實(shí)驗(yàn)前，我以為不會(huì)難做，就像以前做物理實(shí)驗(yàn)一樣，做完實(shí)驗(yàn)，然后兩下子就將實(shí)驗(yàn)報(bào)告做完。直到做完測試實(shí)驗(yàn)時(shí)，我才知道其實(shí)并不容易做，但學(xué)到的知識(shí)與難度成正比，使我受益匪淺。

在做實(shí)驗(yàn)前，一定要將課本上的知識(shí)吃透，因?yàn)檫@是做實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)，否則，在老師講解時(shí)就會(huì)聽不懂，這將使你在做實(shí)驗(yàn)時(shí)的難度加大，浪費(fèi)做實(shí)驗(yàn)的寶貴時(shí)間。比如做應(yīng)變片的實(shí)驗(yàn)，你要清楚各種電路接法，如果你不清楚，在做實(shí)驗(yàn)時(shí)才去摸索，這將使你極大地浪費(fèi)時(shí)間，使你事倍功半。做實(shí)驗(yàn)時(shí)，一定要親力親為，務(wù)必要將每個(gè)步驟，每個(gè)細(xì)節(jié)弄清楚，弄明白，實(shí)驗(yàn)后，還要復(fù)習(xí)，思考，這樣，你的印象才深刻，記得才牢固，否則，過后不久你就會(huì)忘得一干二凈，這還不如不做。做實(shí)驗(yàn)時(shí)，老師還會(huì)根據(jù)自己的親身體會(huì)，將一些課本上沒有的知識(shí)教給我們，拓寬我們的眼界，使我們認(rèn)識(shí)到這門課程在生活中的應(yīng)用是那么的廣泛。通過這學(xué)期實(shí)驗(yàn)，使我學(xué)到了不少實(shí)用的知識(shí)，更重要的是，做實(shí)驗(yàn)的過程，思考問題的方法，這與做其他的實(shí)驗(yàn)是通用的，真正使我們受益匪淺。

實(shí)驗(yàn)中我學(xué)會(huì)了各種放大電路的性能的驗(yàn)證；用ewb仿真技術(shù)，來仿真一些實(shí)際的電學(xué)儀器，實(shí)驗(yàn)過程中培養(yǎng)了我在實(shí)踐中研究問題，分析問題和解決問題的能力以及培養(yǎng)了良好的工程素質(zhì)和科學(xué)道德，例如團(tuán)隊(duì)精神、交流能力、獨(dú)立思考、測試前沿信息的捕獲能力等；提高了自己動(dòng)手能力，培養(yǎng)理論聯(lián)系實(shí)際的作風(fēng)，增強(qiáng)創(chuàng)新意識(shí)。

還有動(dòng)手這次實(shí)驗(yàn)，使模擬電子技術(shù)這門課的一些理論知識(shí)與實(shí)踐相結(jié)合，更加深刻了我對(duì)模擬電子技術(shù)這門課的認(rèn)識(shí)，鞏固了我的理論知識(shí)。經(jīng)過這次的測試技術(shù)實(shí)驗(yàn)，我個(gè)人得到了不少的收獲，一方面加深了我對(duì)課本理論的認(rèn)識(shí)，另一方面也提高了實(shí)驗(yàn)操作能力?，F(xiàn)在我總結(jié)了以下的體會(huì)和經(jīng)驗(yàn)。

在實(shí)驗(yàn)的過程中我們要培養(yǎng)自己的獨(dú)立分析問題，和解決問題的能力。培養(yǎng)這種能力的前題是你對(duì)每次實(shí)驗(yàn)的.態(tài)度。如果你在實(shí)驗(yàn)這方面很隨便，抱著等老師教你怎么做，拿同學(xué)的報(bào)告去抄，盡管你的

模擬電子技術(shù)是一門理論性和實(shí)踐性都很強(qiáng)的專業(yè)基礎(chǔ)課，也是一門綜合性的技術(shù)基礎(chǔ)學(xué)科，它需要數(shù)學(xué)、物理學(xué)、電子學(xué)、知識(shí)，同時(shí)還要掌握各種物理量的變換原理、各種指標(biāo)的測定，以及實(shí)驗(yàn)裝置的設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)分析等方面所涉及的基礎(chǔ)理論。許多測試?yán)碚摵头椒ㄖ挥型ㄟ^實(shí)際驗(yàn)證才能加深理解并真正掌握。實(shí)驗(yàn)就是使學(xué)生加深理解所學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)，掌握各類典型電路，實(shí)驗(yàn)器具的基本原理和適用范圍；具有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理和誤差分析能力；得到基本實(shí)驗(yàn)技能的訓(xùn)練與分析能力的訓(xùn)練，使學(xué)生初步掌握模擬電子技術(shù)的基本方法，對(duì)各門知識(shí)得到融會(huì)貫通的認(rèn)識(shí)和掌握，加深對(duì)理論知識(shí)的理解。

通過本門課程實(shí)驗(yàn)，以下能力得到了較大的提高：

1、了解常用二極管和三極管的原理和應(yīng)用，以及連接電路的注意事項(xiàng)及各種測試不同指標(biāo)的方法。

2、培養(yǎng)具有綜合應(yīng)用相關(guān)知識(shí)來解決測試問題的基礎(chǔ)理論；

這是本學(xué)期我們otl功率放大器是最后一次實(shí)驗(yàn)，而且是設(shè)計(jì)放大電路的典型實(shí)驗(yàn)，通過本實(shí)驗(yàn)，使得我在理論學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)上，加深了對(duì)放大電路的理解，熟悉了應(yīng)用放大電路實(shí)現(xiàn)放大的目的，掌握了模擬電子技術(shù)的核心主題。我不止一次地感受到了模擬電子技術(shù)與數(shù)學(xué)知識(shí)的緊密聯(lián)系以及強(qiáng)烈的趣味性。

模擬電子技術(shù)總結(jié)（四篇）

模擬電子技術(shù)實(shí)訓(xùn)總結(jié)-工作總結(jié)在做模擬電子技術(shù)的實(shí)驗(yàn)前，我以為不會(huì)難做，就像以前做物理實(shí)驗(yàn)一樣，做完實(shí)驗(yàn)，然后兩下子就將實(shí)驗(yàn)報(bào)告做完。直到做完測試實(shí)驗(yàn)時(shí)，我才知道其實(shí)并不…

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