第1篇 測(cè)試技術(shù)協(xié)議
測(cè)試技術(shù)協(xié)議
上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和xxxxxxxxxxxxx公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)xxxxxxxx項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問題達(dá)成如下協(xié)議：
一： 乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定 天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。
二： 甲方在乙方提供封裝好的芯片后 天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。
三： 具體測(cè)試要求
甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。
甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓xxxx芯片工作在5v。
乙方提供xxxx功能測(cè)試碼文件(txt格式)兩份。
甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。
乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。
測(cè)試參數(shù)(常溫) 測(cè)試條件 最大值 典型值 最大值 單位
靜態(tài)工作電流 vdd=5v ua
動(dòng)態(tài)工作電流 vdd=5v ua
輸入高電平電壓 vdd=5v v
輸入低電平電壓 vdd=5v v
輸入高電平電流 vdd=5v,vih=5v ua
輸入低電平電流 vdd=5v,vil=0v ua
輸出高電平電壓 vdd=5v v
輸出低電平電壓 vdd=5v v
輸出高電平電流 vdd=5v,voh=4.2v ma
輸出低電平電流 vdd=5v,vol=0.4v ma
如乙方提供的樣品中有80%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式(磁盤文件，txt格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。
乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。
乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。
上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心 xxxxxxxxxxxxx公司
第2篇 測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議
______集成電路設(shè)計(jì)研究中心（甲方）和_______公司（乙方）經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)__________項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問題達(dá)成如下協(xié)議：
一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。
二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。
三、具體測(cè)試要求：
甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。
甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓______芯片工作在5v。
乙方提供____功能測(cè)試碼文件（t______t格式）兩份。
甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。
乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。
測(cè)試參數(shù)（常溫）測(cè)試條件最大值典型值最大值單位
靜態(tài)工作電流vdd=5vua
動(dòng)態(tài)工作電流vdd=5vua
輸入高電平電壓vdd=5vv
輸入低電平電壓vdd=5vv
輸入高電平電流vdd=5v，vih=5vua
輸入低電平電流vdd=5v，vil=0vua
輸出高電平電壓vdd=5vv
輸出低電平電壓vdd=5vv
輸出高電平電流vdd=5v，voh=4.2vma
輸出低電平電流vdd=5v，vol=0.4vma
如乙方提供的樣品中有____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式（磁盤文件，t______t格式）提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。
乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。
乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。
甲方：
乙方：
簽訂地點(diǎn)：_________
_________年____月____日
第3篇 測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議模板
______集成電路設(shè)計(jì)研究中心(甲方)和_______公司(乙方)經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)__________項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問題達(dá)成如下協(xié)議：
一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。
二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。
三、具體測(cè)試要求：
甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。
甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓______芯片工作在5v。
乙方提供____功能測(cè)試碼文件(t______t格式)兩份。
甲方使用乙方提供的功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。
乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。
測(cè)試參數(shù)(常溫) 測(cè)試條件 最大值 典型值 最大值 單位
靜態(tài)工作電流 vdd=5v ua
動(dòng)態(tài)工作電流 vdd=5v ua
輸入高電平電壓 vdd=5v v
輸入低電平電壓 vdd=5v v
輸入高電平電流 vdd=5v，vih=5v ua
輸入低電平電流 vdd=5v，vil=0v ua
輸出高電平電壓 vdd=5v v
輸出低電平電壓 vdd=5v v
輸出高電平電流 vdd=5v，voh=4.2v ma
輸出低電平電流 vdd=5v，vol=0.4v ma
如乙方提供的樣品中有____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式(磁盤文件，t______t格式)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。
乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。
乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。
甲方：
乙方：
